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產(chǎn)品分類
SiT8009低功耗高頻MEMS振蕩器
SiT8009低功耗高頻MEMS振蕩器

1. SMD封裝尺寸2.0×1.6(2016),2.5×2.0(2520),3.2×2.5(3225),5.0×3.2(5032),7.0×5.0(7050),mm×mm
2. LVCMOS / HCMOS輸出,頻率115MHz~137MHz之間的任何頻率,頻率精度可準確到6位小數(shù).
3. 從±20ppm到±50ppm的穩(wěn)定性
4. 1.8V,2.5V至3.3V,1.8V至3.3V電源電壓
5. 符合RoHS和REACH,無鉛
6. 低功耗4.9mA(1.8V典型值)
7. 應用范圍:以太網(wǎng),服務器,光纖通道,SSD,存儲,工廠自動化,安全性,醫(yī)療電子等。

產(chǎn)品詳情
規(guī)格參數(shù):
Item / Type
SJK8009
Dimensions
2.0×1.6×0.75, 2.5×2.0×0.75, 3.2×2.5×0.75, 5.0×3.2×0.75, 7.0×5.0×0.9 mm
Output
LVCMOS /HCMOS
Frequency stability
±20ppm, ±25ppm, ±50ppm
Output frequency range
115MHz~137MHz
Supply voltage
1.8V, 2.5V, 2.8V, 3.0V, 3.3V, 2.25V~3.63V
Current cosumption
7.5mA max.
OE disable current
4.2mA max.
Standby current
4.3μA max.
Duty cycle
45~55%
Rise /Fall time
2.5ns max.
Output voltage Voh /Vol
90% Vdd min. /10% Vdd max.
Input voltage Vih /Vil
70% Vdd min. /30% Vdd max.
Input pull-up impedance
2ΜΩ min.
Enable/Diable time
130ns max.
Start-up time
5ms max.
Operation temperature
-20~+70oC, -40~+85oC
Storage temperature
-65~+150oC
RMS Phase jitter (12 KHz~20 MHz)
2pS max.

產(chǎn)品外觀尺寸圖(單位:mm):
1.png
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